1nm（如果摩尔定律不死）

访客2022-12-15 05:58:2614

按照摩尔定律，每18个月芯片的晶圆管密度就会提升1倍，从而性能翻倍。

过去的这几十年间，芯片制程其实差不多是按照摩尔定律走的，直到进入7nm后，基本上就无法按照这个定律走了，比如5nm、3nm的演进就慢了很多，所以很多人称现在摩尔定律已死。

不过近日，IMEC（比利时微电子中心）还是展示了一张最新的芯片制造发展路线图，一路看到了2036年的0.2nm工艺，表示接下来芯片制造还是会按照摩尔定律走下去。

如下图所示的这个演进路径，2022年实现N3也就是3nm，2024年到2nm，2026年到A14也就是1.4nm，2028年到1nm，并且还会演进，到2036年是直接达到0.2nm。

同时在晶圆管技术上，也有技术演进，目前是FinFET，而到2nm时会换成GAAFET，再到0.5nm时，会换成CFET技术。

不过，大家看看我在上图标的绿色框，这里指的是MP金属栅极距，这是真正代表晶体管密度，也就是工艺指标的参数。

它在1nm之前还是在不断变小的，直到1nm工艺时，为16nm，但接下来不管工艺怎么先进，其参数一直处于16-12nm间了。

意思就是晶体管密度其实不再怎么变化了，不管你是1nm，还是0.5nm，或者0.2nm，这个MP金属栅极距基本不变了。

事实上，之前已经有科学家表示，当芯片工艺在1nm之后，量子隧穿效应有可能会让半导体失效，估计这也是为什么1nm后，这个MP金属栅极距不变了，因为不可能再变小了。

这也代表着接下来工艺究竟是多少nm，它与晶体管密度没有太多关系了，更多的还是数字游戏了，晶圆厂商们愿意说多少nm，就是多少nm，与MP金属栅极距不再有对应关系。

事实上，在进入10nm之后，大家就吐槽台积电、三星的所谓nm工艺制程与MP金属栅极距已经不再有对应关系，更多的是数字营销游戏，只有英特尔或是清白的，但到了1nm后，那就大家都要玩数字游戏了，那这样的摩尔定律究竟还有没有意义？